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반응기판의 회전 속도에 따른 CVD 반응기 내의 유동 특성과 증착률에 관한 수치적 연구
A Numerical Study on the Flow Characteristics in the CVD Reactor with Rotating Disk 원문보기

한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집, 2007 Apr. 05, 2007년, pp.76 - 77  

백재상 (성균관대학교, 기계공학부) ,  부진효 (성균관대 플라즈마응용표면기술연구센터) ,  한전건 (성균관대 플라즈마응용표면기술연구센터) ,  김윤제 (성균관대학교, 기계공학부, 성균관대 플라즈마응용표면기술연구센터)

초록
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화학 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition)은 기체 원료의 화학반응을 이용하여 박막, 미립자, nano-tube등 고체 재료를 합성하는 증착 방법이며, 현재 공업적으로 확산되어 반도체 공정과 같은 박막제조에 이용되고 있다. 박막제조에 있어서 중요한 관심사인 기판의 증착률은 기판의 회전 속도에 의하여 영향 받을 수 있다. 따라서 본 연구에서는 최적의 회전 속도를 찾아내기 위해 박막특성에 직접적으로 연관이 있는 CVD 반응기 내의 유동특성을 유한체적법 (Finite volume method)과 SIMPLE (Semi-Implicit Method for Pressure-Linked Equation) 알고리즘을 사용하여 수치모사 하였고 기판에서 화학 반응을 계산하기 위해 Arrhenius 모델을 사용하였다.

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